海威"芯"品 | Hiwafer PPA15工艺正式发布

2019年3月28日，海威华芯（HiWafer）成功完成首套0.15微米砷化镓（GaAs）工艺制程开发。

工艺能力

Hiwafer PPA15工艺基于先进的高电子迁移率晶体管（pHEMT）器件结构，具有工作频率高、输出功率密度大、噪声系数低等优点，工艺性能达到业界先进水平。

Hiwafer PPA15工艺可支持的产品种类包括功率放大器、低噪声放大器、混频器、开关等常用电路形式，工作频率高达50GHz，可广泛应用于5G移动通讯、卫星通讯、国防等诸多毫米波应用场景。

Hiwafer PPA15工艺采用目前业界最大的150mm砷化镓晶圆制造技术，可为国内外客户提供成熟、稳定、高效、量产的产品研发及生产制造平台。

PDK

目前，Hiwafer PPA15工艺已经通过客户多款电路试用验证，包括放大器、开关、混频器等，电路性能达到业界先进水平，电路稳定可靠、良品率高。

Hiwafer PPA15工艺现可提供完整的工艺设计套件（PDK）供客户进行电路设计。该PDK中集成了高精度的器件模型，可精准预测电路性能结果，从而可以减少客户产品的研发迭代次数，缩短研制周期。

Hiwafer PPA15工艺的成功发布，使得海威华芯的砷化镓射频工艺种类更加丰富，从单一功能到多功能，从低频到毫米波，可为客户提供更加丰富多样的技术服务。